日本半导体制造商 Rapidus 近日宣布，计划于 2027 财年在北海道建设第二座晶圆厂，预计最快 2029 年开始生产先进的 1.4 纳米芯片。此举旨在缩小与全球芯片制造巨头台积电的差距，重建日本在先进半导体领域的战略自主能力。

据日经亚洲报道，Rapidus 第二座晶圆厂总投资预计将超过 2 万亿日元。日本政府将提供数千亿日元直接投资与补贴，剩余资金通过大型银行贷款及民营企业投资补足，贷款部分由政府提供担保。日本经济产业省（METI）已在 2025 年度拨付 8025 亿日元补助金，用于推进 2 纳米先进制程的研发与试生产。若所有援助资金全部落实，Rapidus 累计获得的政府与民间支持将接近 3 万亿日元，成为日本重返先进半导体竞争行列的国家级项目之一。

Rapidus 首座晶圆厂位于北海道千岁市，已于 2025 年 4 月启动 2 纳米芯片试制，计划 2027 年下半年正式量产，产品主要面向自动驾驶、人工智能等高端应用领域。第二座晶圆厂的建设将加速 1.4 纳米及 1 纳米芯片的研发与量产进程。

Rapidus 自 2022 年成立以来，已与 IBM、Tenstorrent 等国际企业开展合作，并获得丰田、索尼等日本企业巨头的支持。2025 年 7 月，Rapidus 在千岁厂的 IIM-1 工厂启动 2 纳米全环绕栅极（GAA，Gate-All-Around）芯片试生产，并于 7 月中旬向媒体公开试制品，展示技术进展。

值得关注的是，富士通已宣布与英伟达（NVIDIA）合作开发日本数据中心专用人工智能芯片，并计划将 1.4 纳米级中央处理器（CPU）的制造委托给 Rapidus，预计 2029 年实现实用化。另有消息称，富士通将出资参与 Rapidus，强化日本本土半导体供应链。

尽管 Rapidus 的发展进度落后于台积电和三星电子，但该企业目标在 2029 年实现 1.4 纳米芯片量产，力争在全球半导体市场占据一席之地。台积电预计 2025 年第四季度量产 2 纳米芯片，2028 年量产 1.4 纳米芯片；英特尔（Intel）则已启动 18A 制程（约相当于 1.8 纳米）的量产工作。