近期半导体行业喜事连连，8月16日德州仪器获得美国《芯片和科学法案》拨款加税款等总计超180亿美元补贴，用来推进三座12英寸晶圆厂建设；另外，台积电旗下首座欧洲12英寸厂也将在明天开始动工，三座先进封装工厂获最新进展；此外，LTSCT计划投资100亿美元在印度新建三座晶圆厂，分别专注于硅、碳化硅和氮化镓技术。

大额补贴到账！德州仪器新建三座12英寸晶圆厂

8月16日，美国政府宣布与德州仪器（Texas Instruments）签署初步协议，将通过《芯片和科学法案》向后者提供高达16亿美元的资助，以协助推进其建造三座新的晶圆厂，其中有两座位于德克萨斯州谢尔曼（SM1和SM2），一座位于犹他州莱希（LFAB2）。德州仪器总裁兼首席执行官Haviv Ilan表示，计划到2030年将内部制造率提高到95%以上，目前正在大规模建设300毫米产能，以提供未来几年客户所需的模拟和嵌入式处理芯片。

图片来源：德州仪器

据悉，这笔资金将用于德州仪器建设SM1洁净室并完成初始生产的中试线，为LFAB2建造洁净室，以开始初始生产。并为SM2构建外壳。

美国官员表示，除了拨款外，该国还将向德州仪器提供高达30亿美元的贷款。此外，TI预计将从美国财政部的合格美国制造业投资投资税收抵免中获得约60亿至80亿美元的资金。上述这些资金将支持该公司投资超过180亿美元建造新设施。

谢尔曼工厂图（图片来源：德州仪器）

据德州仪器官方此前消息，该公司预计花费300亿美元投资，计划建造多达四座相连的晶圆厂（SM1、SM2、SM3、SM4），以满足客户未来几十年的需求。根据其2022年发布的规划，德州仪器2030年前将新建6座300mm晶圆厂，其中美国德州理查森的RFAB2和从美光收购LFAB工厂分别于2022年第三季度、2023年第一季度投产；德州谢尔曼4座工厂中2座工厂在2023年完成建设；另外2座将于2026-2030年开始建设。

在上述规划之外，2023年2月，TI又宣布将在美国犹他州的莱希建造第二座300mm晶圆制造厂，已与2023年下半年开始建造，最早将于2026年投产，将主要生产模拟和嵌入式处理芯片。据悉，该工厂紧邻其现有12英寸晶圆制造厂LFAB，建成后两个工厂将合并为一个晶圆制造厂进行运营。

对于未来，德州仪器希望到2030年公司营收达到450亿美元，比2022年提升了一倍多。该公司的目标是在未来10年左右收入实现7%的复合年增长，与之相较，2010年-2020年的平均增长率为4%。为了实现该，TI重新调整了本已提高的资本支出计划，上调了2023-2026年每年资本开支至50亿美元，2027后资本开支占收入比重为10%-15%。

公开资料显示，德州仪器是全球最大的模拟芯片供应商，长期以来在全球模拟芯片行业市占率第一。模拟芯片广泛应用于各种电子产品和系统中，包括汽车、工业、通信和消费电子等。

近两年，德州仪器受困于市场工业和汽车电子元件需求下滑，业绩也有所下滑。但是据其今年上半年财报显示，德州仪器释放消费型电子落底讯号，

其财报数据显示，2024年一季度，德州仪器营业收入为36.61亿美元，同比增长-16.40%；净利润为11.05亿美元；同比增长-35.30%，毛利率为57.22%，同比下降8.16个百分点。第二财季该公司营收38.2亿美元，营业利润12.5亿美元，预计第三财季营收39.4亿-42.6亿美元。改季德州仪器消费性电子终端环比增长15％左右，尽管工业、车用仍呈现下降趋势，不过其终端市场已完成库存调整，着将有利于德州仪器迎来复苏。德州仪器管理阶层透露，产能利用率将于第三季度略为改善，库存天数季减6天至229天，供需关系正在转佳。

台积电多座工厂最新动态！

除了德州仪器三座12英寸晶圆厂获得推进外，台积电旗下首座欧洲12英寸厂也将在明天开始动工。先进封装厂房方面，嘉义2座CoWoS先进封装加速建设，并新购得群创南科4厂5.5代厂房。

01、欧洲厂明日动土

不久前台积电方表示，将于8月20日举行德国新厂动土典礼，并接续展开整地作业，预计今年年底前动工兴建，目标2027年底开始生产。据了解，台积电董事长魏哲家将率团前往，包括上百名主管与员工与会；台积电协力厂与伙伴博世、英飞凌和恩智浦也将由高阶主管出席。

据悉，德国该新工厂称为欧洲半导体制造公司（ESMC），台积电将持有新工厂70%股份，合作方德国博世、英飞凌和荷兰芯片制造商恩智浦各持股10%。ESMC的首任总裁将是前博世德累斯顿晶圆厂厂长斯蒂安科伊茨施（Christian Koitzsch）。该晶圆厂将聚焦车用和工业用芯片，旨在满足欧盟对汽车和工业芯片本地化的需求。具体工艺为28/22nm平面CMOS、16/12nm FinFET等成熟制程，预计于2027年实现量产，月产能可达4万片12英寸晶圆。

02、台积电多座先进封装厂新进展

近日，台积电的三座先进封装厂获得最新进展，其中嘉义2座CoWoS先进封装厂获批加快建设。另外，8月15日台积电发布公告，花费171.4亿元新台币购买群创南科4厂5.5代厂房。

台积电计划在嘉义科学园区兴建2座CoWoS先进封装厂，据其此前规划，第一座工厂将于2026年完成建设，并于2028年投产。不过在今年5月施工过程中发现了文物遗迹，因此整个建设项目暂停施工。

据报道，在解决与现场挖掘和环境影响评估（EIA）考古挖掘相关的问题后，近日，中国台湾发布公告显示，台积电已继续推进AP7一期和AP7二期建设。

目前台积电先进封装持续供不应求，InFO、CoWoS等先进封装产能不断加码扩产仍难满足行业高涨的需求。据悉，台积电的先进封装厂AP7将耗资数十亿美元，并将配备支持先进后端封装技术的设备。台积电的CoWoS-S用于AMD的Instinct MI250以及英伟达A100、H100/H200芯片，而CoWoS-L将用于英伟达B100/B200和其他下一代AI和HPC应用处理器。未来，AP7还将支持台积电的SoIC（集成级集成单芯片）封装方法，包括CoW、WoW等前端3D堆叠技术，这将使代工厂能够组装类似于AMD的Instinct MI300的垂直堆叠产品。

另外，8月15日台积电公告，斥资171.4亿元新台币向群创购买南科厂房及附属设施。TrendForce集邦咨询表示，快速获得现有厂房，将帮助台积电加速扩充先进封装产能，减缓产能吃紧的问题。台积电CEO魏哲家近期公开表示，台积电正加速推进FOPLP工艺，目前已经成立了专门的研发团队，并规划建立小规模试产线，力争在2027年量产。行业预估潜力巨大的FOPLP有望接棒台积电CoWoS和InFO，成为下一个延续摩尔定律的先进封装新星。详情可了解《台积电、日月光再买地扩产先进封装！FOPLP赛道即将爆火！》。

LTSCT拟投资100亿美元在印度建三座晶圆厂

在印度政府推动下，印度科技企业正在加大半导体布局。据外媒报道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）计划投资100亿-120亿美元，在未来5到10年内在印度建立三个半导体制造工厂，分别专注于硅、碳化硅和氮化镓技术。

公开资料显示，LTSCT为L&T的全资子公司，是一家无晶圆厂公司，业务涵盖MEMS传感器、功率、模拟混合信号和射频产品，以支持汽车、工业、能源和电信领域。母公司L&T是一家价值270亿美元的跨国企业集团，其于去年投资85亿卢比成立了LTSCT。

LTSCT公司首席执行官Sandeep Kumar表示，LTSCT从类似高通或联发科的系统级芯片（SoC）设计公司向芯片制造实体的转型，将建立在公司实现10亿美元营收目标的基础之上。LTSCT预估这一营收目标将在未来2~3年内实现，届时将着手建设晶圆厂。

Kumar进一步解释道，该公司涉足各种技术，包括高端硅芯片以及中低端碳化硅和氮化镓芯片。因此，随着时间的推移，公司计划建立三个不同的晶圆厂，每个晶圆厂都需要不同程度的投资。资金分配方面，LTSCT对硅的投资或将超过100亿美元，对碳化硅的投资额在10亿美元以上，对氮化镓的投资额则在5亿美元左右。

“在硅材料方面，所有合作伙伴的细节都已就绪。在氮化镓方面，已经完成了一半工作，而碳化硅方面，在未来三个月内，公司将确定与谁合作。”Kumar补充道。据悉，LTSCT的碳化硅芯片将由两家日本合作伙伴生产，而基于氮化镓的射频和功率器件芯片将由格芯和中国台湾的世界先进生产。

值得一提的是，在拟加码半导体制造同时，LTSCT也在持续加强对芯片设计领域的布局。7月9日，LTSCT以18.3亿卢比现金收购班加罗尔SiliConchSystems的100%股份。L&T在周二的监管文件中表示：“此次收购预计将增加知识产权 (IP)、工程技能和设计专业知识，以加强集团在无晶圆厂半导体业务中的地位，从而符合LTSCT的整体增长战略。”